Přijímač 818-BB

Skřivené fotodetektory řady 818-BB jsou nákladově efektivním diagnostickým nástrojem vhodným pro širokou škálu vysokorychlostních aplikací, jako je například zobrazení signálu pro nastavení Q, zámkové formy nebo rychle modulované lasery a nasměrování pikosekundních laserů.

Verze křemíku, ultrafialového křemíku, GaAs a InGaAs

Doba stoupení až 35 ps

Zesilovací detektor poskytuje zisk až 26 dB

Možnost spojování optických vláken usnadňuje zarovnání

Porovnání	Modelové číslo
	818-BB-21Optický detektor napětí, 300-1100 nm, křemík, 1,2 GHz
	818-BB-27Odstraněný fotodetektor, 200-1100 nm, křemík, 200 MHz
	818-BB-30Odstraněný fotodetektor, 1000-1600nm, InGaAs, 2 GHz
	818-BB-31Optický detektor přepáleného napětí, 1000-1600nm, InGaAs, 1,5 GHz, vstupní konektor FC
	818-BB-35Odstraněný fotodetektor, 1000-1650 nm, InGaAs, 12,5 GHz
	818-BB-36Odstraněný fotodetektor, 1475–2100 nm, rozšířený InGaAs, 12,5 GHz
	818-BB-36FOdstraněný fotodetektor, 1475-2100 nm, rozšířený InGaAs, 12,5 GHz, FC/UPC
	818-BB-40Odstraněný fotodetektor, 300-1100 nm, křemík, 25 MHz
	818-BB-45Odstraněný fotodetektor, 400-900 nm, GaAs, 12,5 GHz
	818-BB-45AFZvýšený fotodetektor s přepáťovým napětím, spájení střídavým proudem, 400-900 nm, GaAs, 9 GHz, FC/UPC

Specifikace produktu

Silicon Photodetectors

Modelové číslo	818-BB-21	818-BB-27	818-BB-40
Materiály detektorů	Silicon	UV Enhanced Silicon	Silicon
Napětí / napětí	9 V	24 V	24 V
Typ detektoru	PIN	PIN	PIN
Průměr detektoru	0.4 mm	2.55 mm	4.57 mm
Úhel přijímání	10°	50°	60°
Rozsah vlnných délek	300-1100 nm	200-1100 nm	350-1100 nm
3 dB šířka pásma
Čas stoupání	<300 ps	3ns	<30 ns
Odpověď	0.47 A/W @ 830 nm	0.56 A/W @ 830 nm	0.6 A/W @ 830 nm
Výstupní spojky	BNC	BNC	BNC
NEP	<0.01 pW/√Hz	<0.1 pW/√Hz	<0.09 pW/√Hz
Nasycený proud	3 mA	2.5 mA	2 mA
Spojovací kapacita	<1.5 pF	<25 pF	<45 pF
Reverzní rozbití napětí	20 V	150 V	50 V
Typ závitu	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4

GaAs and InGaAs Photodetectors

Modelové číslo	818-BB-30	818-BB-31	818-BB-35	818-BB-45	818-BB-51
Materiály detektorů	InGaAs	InGaAs	InGaAs	GaAs	Extended InGaAs
Napětí / napětí	6 V	6 V	6 V	3 V	3 V
Typ detektoru	PIN	PIN	PIN	PIN	PIN
Průměr detektoru	0.1 mm	0.1 mm	0.032 mm		0.040 mm
Úhel přijímání	20°	20°	30°	15°	20°
Rozsah vlnných délek	1000-1600 nm	1000-1600 nm	1000-1650 nm	500-890 nm	830-2150 nm
3 dB šířka pásma	DC to 2 GHz	DC to 2 GHz	DC to 15 GHz	DC to 12.5 GHz	DC to 10 GHz
Čas stoupání	175 ps	175 ps	25 ps	30 ps	28 ps
Odpověď	0.8 A/W @ 1300 nm	0.9 A/W @ 1300 nm	0.88 A/W @ 1550 nm	0.53 A/W @ 830 nm	1.3 A/W @ 2.0 µm
Výstupní spojky	BNC	BNC	SMA	SMA	SMA
NEP	<0.1 pW/√Hz	0.1 pW/√Hz	<0.04 pW/√Hz	<0.02 pW/√Hz at 830 nm	<0.44 pW/√Hz @ 2000 nm
Nasycený proud	5 mA	10 mA	10 mA	10 mA
Spojovací kapacita	<0.75 pF	<1.25 pF	<0.12 pF	<0.3 pF
Reverzní rozbití napětí	25 V	25 V	25 V	30 V
Typ závitu	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4

Vlastnosti

Silicon verze a fialováVnější posilování křemíkuVerze

818-BB-20、 -21 a -40 se skládají z volných prostorových, malých a velkých křemíkových detektorů s časovými rozmezími 300 ps-1,5 ns. Kromě 818-BB-40 je každé zařízení vybaveno vestavěným zasílacím zdrojem, který se skládá ze standardní 3 V lithiumové baterie a 50 ohmového BNC konektorového výstupu. Baterie jsou snadno vyměnitelné a při nepoužívání může odpojení detektoru od vstupu osciloskopu prodloužit životnost baterie. 818-BB-40 je dodáván s externím napájením 24 VDC. 818-BB-27VylepšeníKřemíkový detektor se skládá z ultrafialové reakce, takže je vhodný pro čtyřkrát harmonické a kvazimolekulární lasery Nd: YAG, Nd: YLF nebo jiné neodymové lasery. Kromě toho je jeho široká účinná plocha a rychlá doba odezvy univerzálním detektorem odchylky v pásmu 200 až 1100 nm. Pro rychlou reakci je detektor vybaven externím napájením 24 VDC.

UV-Enhanced Silicon Free Space Detector

The 818-BB-27 consists of a silicon detector with an enhanced ultraviolet response, making it well suited for the fourth harmonic Nd:YAG, YLF or Glass Lasers and Excimer Lasers. Additionally, its large active area and fast response time make it an excellent general-purpose biased detector for the 200 to 1100 nm wavelength region. To attain its fast response, this detector comes with a 24 VDC external power supply.

InGaAs Free Space Detectors

The 818-BB-30, -31, and -35
consist of free-space, small and large area
InGaAs detectors, with rise times ranging from 300 ps to 1.5 ns for covering the 1000-1600 nm wavelength range. Each unit includes a built-in bias supply consisting of standard 3 V lithium cells and a 50 ohm BNC connector output. The 818-BB-51 features an extended InGaAs photodetector with a wavelength range of
1475–2100 nm.

Verze GaAs a InGaAs

818-BB-30、 -31, -35, -45 a -51 se skládají z volných prostorových, malých a velkých GaAs nebo InGaAs detektorů s časovým rozsahem stoupání mezi 300 ps a 1,5 ns. Každé zařízení obsahuje vestavěný zasílací zdroj, který se skládá ze standardní 3 V lithiumové baterie a 50 ohmového BNC konektorového výstupu. Baterie jsou snadno vyměnitelné a při nepoužívání může odpojení detektoru od vstupu osciloskopu prodloužit životnost baterie.

Instalace optického spojku

8-32 závitových otvorů umístěných na spodní části optického přijímače 818-BB lze použít pro montáž optického spojku.

Pozor na ESD ochranu

Tyto detektory jsou velmi náchylné k poškození způsobenému elektrostatickým uvolňováním (ESD). Při rozbalování a obsluhování těchto zařízení použijte ESD ochranu, například FK-STRAP.

Doba stoupení až 25 ps

Moduly detektorů fotodiod 818-BB-35 a 818-BB-45 poskytují nízkonákladové řešení pro ultrarychlé měření šířky pásma 12,5 GHz. Tyto detektory jsou vhodné pro aplikace s regulací Q a ultrarychlou laserovou výstupní analýzou vyžadující dobu zvýšení detektoru <25 ps (u 818-BB-45 <30 ps). Tyto detektory využívají také 3 V lithiumové baterie (jsou k dispozici).